英数字
ア行	カ行	サ行	タ行	ナ行
ハ行	マ行	ヤ行	ラ行	ワ行

英数字

ASIC

「ASIC」と読む。
Application Specific Integrated Circuitの略。

CMOS

「シーモス」と読む。
Complementary Metal Oxide Semiconductorの略。

FET

Field effect transistorの略。電界効果トランジスタのこと。

MOSFET

酸化皮膜上の金属をゲート電極として使用しているFET。
Metal Oxide Semiconductor FETの略。

n型半導体

多数キャリアが自由電子である半導体をn型半導体という。

PLD

内部の論理回路をユーザが変更可能な集積回路。
Programmable Logic Deviceの略。

pn接合

p型半導体とn型半導体が結晶構造の分断なく、接している領域の部分をpn接合という。

p型半導体

多数キャリアが正孔(ホール)である半導体をp型半導体という。

TTL

Transistor-Transistor-Logic の略。

ア行

アインシュタインの関係式

拡散電流が流れているとき、拡散係数と絶対温度、キャリアの移動度の間には密接な関係がある。
この関連を示した等式がアインシュタインの関係式である。

アクセプタ

自由電子を確保し正孔(ホール)を生成する元素をアクセプタという。

アノード

ダイオードやサイリスタで陽極端子のことをアノードという。

アモルファス

結晶は狭いエリアも広いエリアも原子が秩序を持って整然と並んでいる。
これに対しアモルファスは、狭いエリアは原子が秩序を持って整然と並んでいるが広いエリアでは秩序が崩れている状態である。
非晶質ともいう。

エミッタ

バイポーラトランジスタの端子の一つ

カ行

拡散電流

キャリアの濃度ムラがあると、濃度の高い部分(キャリアが混んでいる部分)から濃度の低い部分(空いている部分)にキャリアが拡散していく。
拡散で生じる電流を拡散電流という。

カソード

ダイオードやサイリスタで陰極端子のことをカソードという。

価電子帯

バンド構造の中で、電子が詰まっている領域を価電子帯という。
電子がギュウギュウ詰めのため身動きが取れない。このため価電子帯は電流に寄与しない。

可変容量ダイオード

端子間の電圧変化によって静電容量が変化するダイオードを可変容量ダイオードという。
バリキャップ、バラクタとも呼ばれる。

キャリア

電荷を担っている実体をキャリアという。
半導体のキャリアには、マイナス電荷を担う自由電子とプラス電荷を担う正孔がある。

空乏層

pn接合面付近のキャリアが存在しない領域を空乏層という。

ゲート

FETの端子の一つ。

ゲートアレイ

事前に基板上に配置された汎用的な素子を、用途に応じて配線して完成させる集積回路。

コレクタ

バイポーラトランジスタの端子の一つ

サ行

受光素子

光の信号を電気の信号に変換する部品を受光素子という。
光が受光素子に当たると、その光の強弱に応じて電流や電圧の強弱が変化する。

サイリスタ

半導体を、P型→N型→P型→N型の順に並べた素子をサイリスタという。
ゲート(G)、アノード(A)、カソード(K)の3つの端子を持つ。

少数キャリア

半導体のキャリアには、マイナス電荷を担う自由電子とプラス電荷を担う正孔がある。
このうち、少ない方のキャリアを少数キャリアという。

ショットキー接合

半導体と金属の接合をショットキー接合という。

ステッパ

ステッパとは集積回路の製造工程で使用する装置である。
集積回路の製造工程では、露光によりウェハ上にマスクパターンを転写する。
この工程で使用する装置がステッパだ。

正孔

共有結合から電子が離脱すると、その部分には正電荷が残る。
もともと電荷がない場所から負電荷を持った電子が抜けたので、残ったのは正電荷ということになる。
これを正孔、またはホールという。

ソース

FETの端子の一つ。

タ行

ダイオード

pn接合に電極を取り付けた電子部品をpn接合ダイオード、または単にダイオードという。

多数キャリア

半導体のキャリアには、マイナス電荷を担う自由電子とプラス電荷を担う正孔がある。
このうち、多い方のキャリアを多数キャリアという。

ツェナーダイオード

定電圧ダイオードとも呼ばれている。

一般のダイオードは逆方向電圧に対して電流は流れない。
これに対し、ツェナーダイオードは一定の逆方向電圧を加えると電流が流れるタイプのダイオードである。

電流が流れる一定の逆方向電圧をツェナー電圧という。

伝導帯

バンド構造の中で、電子が移動できる領域を伝導帯という。
バンドギャップ(禁制帯)は電子の存在を許さず、価電子帯は電子が詰まっているため身動きが取れない。

ドナー

共有結合に寄与しない電子を、自由電子として放出する元素をドナーという。

トランジスタ

半導体を、N型→P型→N型、またはP型→N型→P型の順に並べた素子をトランジスタという。
それぞれNPN型トランジスタ、PNP型トランジスタと呼ぶ。

コレクタ(C)、ベース(B)、エミッタ(E)の3つの端子を持つ。

NPN型トランジスタ	PNP型トランジスタ

ドレイン

FETの端子の一つ。

ナ行

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ハ行

半導体

電気を通さない物質を絶縁体、電気を通す物質を導体という。
これに対し、電気をほどほどに通す固体を半導体という。

バンド理論

固体中で電子のとるエネルギーを解明した理論がバンド理論である。

フェルミ準位

電子の存在する確率が0.5になるエネルギー準位をフェルミ準位という。
真性半導体では充満帯と伝導帯の中間にある。
導体では、導電帯の中で、最も高いエネルギーを持つ電子の準位に相当する。

不純物半導体

純粋な半導体に、ヒ素やガリウムのような余分な物質を混ぜた半導体を不純物半導体という。

ベース

バイポーラトランジスタの端子の一つ。

ホール

共有結合から電子が離脱すると、その部分には正電荷が残る。
もともと電荷がない場所から負電荷を持った電子が抜けたので、残ったのは正電荷ということになる。
これを正孔、またはホールという。

ホール効果

磁場中の半導体に磁場と垂直に電流が流れている場合、この半導体に起電力が現れる。
この現象をホール効果という。

マ行

マックスウェル-ボルツマン分布

熱的平衡にある気体中で、分子の速度分布が従う統計をマックスウェル-ボルツマン分布という。

ムーアの法則

集積回路の容量は18〜24か月ごとに2倍になるという経験則をムーアの法則という。
ゴードン・ムーア(インテルの創業者の一人)が提唱した。

ヤ行

誘導放出

他の光の刺激を受けて、原子が光を放出する現象を誘導放出という。

ラ行

励起

光などのエネルギーを受けて、原子中の電子がより高いエネルギー順位へジャンプする現象を励起という。

ワ行

ワイヤードロジック

導線などで物理的に結線して論理回路を構成し命令を実行する方式。

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2010/03/01